首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2488篇
  免费   318篇
  国内免费   676篇
化学   1944篇
晶体学   30篇
力学   290篇
综合类   17篇
数学   165篇
物理学   1036篇
  2024年   6篇
  2023年   52篇
  2022年   67篇
  2021年   96篇
  2020年   116篇
  2019年   63篇
  2018年   72篇
  2017年   131篇
  2016年   149篇
  2015年   135篇
  2014年   187篇
  2013年   196篇
  2012年   157篇
  2011年   206篇
  2010年   150篇
  2009年   220篇
  2008年   207篇
  2007年   195篇
  2006年   174篇
  2005年   121篇
  2004年   101篇
  2003年   92篇
  2002年   73篇
  2001年   86篇
  2000年   70篇
  1999年   38篇
  1998年   43篇
  1997年   44篇
  1996年   39篇
  1995年   39篇
  1994年   27篇
  1993年   30篇
  1992年   20篇
  1991年   14篇
  1990年   14篇
  1989年   13篇
  1988年   6篇
  1987年   9篇
  1986年   6篇
  1985年   4篇
  1983年   3篇
  1982年   2篇
  1981年   1篇
  1980年   2篇
  1979年   4篇
  1978年   1篇
  1974年   1篇
排序方式: 共有3482条查询结果,搜索用时 245 毫秒
1.
Defects play a central role in controlling the electronic properties of two-dimensional (2D) materials and realizing the industrialization of 2D electronics. However, the evaluation of charged defects in 2D materials within first-principles calculation is very challenging and has triggered a recent development of the WLZ (Wang, Li, Zhang) extrapolation method. This method lays the foundation of the theoretical evaluation of energies of charged defects in 2D materials within the first-principles framework. Herein, the vital role of defects for advancing 2D electronics is discussed, followed by an introduction of the fundamentals of the WLZ extrapolation method. The ionization energies (IEs) obtained by this method for defects in various 2D semiconductors are then reviewed and summarized. Finally, the unique defect physics in 2D dimensions including the dielectric environment effects, defect ionization process, and carrier transport mechanism captured with the WLZ extrapolation method are presented. As an efficient and reasonable evaluation of charged defects in 2D materials for nanoelectronics and other emerging applications, this work can be of benefit to the community.  相似文献   
2.
木质素在塑料中的应用   总被引:11,自引:0,他引:11  
总结了国内外近10年来木质素在塑料中的应用进展,重点对木质素在PVC、PP、PE、PF、PU等5个方面的研究成果进行了系统阐述,并对该技术的发展方向进行了分析预测。  相似文献   
3.
The composite comprised of zinc oxide quantum dots and poly(amic acid) (PAAc) was prepared and studied by X-rays diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, light scattering, UV absorbance and UV fluorescence. The UV absorbance of the ZnO/PAAc composite was found to be much larger than that of its components taken separately. The fluorescence of the ZnO/PAAc composite was found to be shifted to longer wavelengthes in comparison with pure ZnO. The presence of the dopant dodecylbenzenesulfonic acid was found to affect the observed fluorescence.  相似文献   
4.
采用固相反应合成了四羟基苯基卟啉与与Fe^2+,Co^2+金属离子的配合物,在室温下,将其与分子O2作用,提纯后得到两种固态氧合配合物.通过元素分析、红外光谱(IR)、核磁共振氢谱(^1HNMR)、电导、热分析(TG/DTA)、紫外光谱(UV)等测试手段确定了氧合配合物的组成为[Co·THPP·O2](NO3)2·2H2O、[Fe·THPP·O2]Cl2·2H2O],可知1mol配合物吸收了1molO2,采用失重法测定了氧合配合物中的配位氧,确定1mol金属配合物吸收1molO2形成超氧配合物.  相似文献   
5.
We have carried out an ultrafast time-resolved differential reflectivity study of a ferromagnetic semiconductor InGaMnAs and made a systematic comparison with low-temperature grown and high-temperature grown InGaAs reference films. Very short carrier lifetimes (2 ps) were observed in InGaMnAs and the low-temperature grown InGaAs film, but not in the high-temperature grown InGaAs film. We attribute the short lifetimes to carrier trapping by mid-gap states introduced during low-temperature MBE growth. Furthermore, at long times, we observed periodic oscillations in the differential reflectivity signal with period 20 ps, which we interpret as coherent acoustic phonons.  相似文献   
6.
Y. Chen  H. M. Wang   《Applied Surface Science》2003,220(1-4):186-192
TiC reinforced composite coating on γ-TiAl alloy was successfully fabricated by laser surface alloying with carbon. The fine TiC reinforcing phase had a gradient distribution in the coating, and its growth morphology of TiC in laser surface alloyed coating was in unique faceted platelet-like. The composite coating exhibited high hardness and excellent high-temperature sliding wear resistance.  相似文献   
7.
采用ICP-AES法对钛基复合材料中的合金元素镍、钕、铁的测定进行了研究,着重进行了基体元素及待测元素镍、钕、铁之间干扰试验及各元素在测定浓度范围内的线性相关性试验,进行了酸度试验,测定了钛基复合材料中3种元素的含量,得到了较好的精密度和准确度。方法简便、可靠,获得满意的分析结果。  相似文献   
8.
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.  相似文献   
9.
掺杂型红色有机电致发光显示器件   总被引:6,自引:5,他引:1       下载免费PDF全文
全色显示是有机电致发光显示(OLED)器件发展的目标,而高性能红色发光器件一直是制约全彩色OLED器件实用化的瓶颈,也是目前有机电致发光显示研究的热点。制作了掺杂DCJTB和不同浓度的rubrene两种荧光染料的红色有机电致发光显示器件,以NPB和Alq3分别作为空穴传输层和电子传输层,发现器件性能与只掺杂DCJTB的器件相比有明显提高,发光效率提高到2~3倍。通过Frster理论和能带理论分析了器件的能量转移机理,研究发现Frster能量转移不是掺杂器件能量转移的主要形式,载流子俘获机制才是器件效率提高的主要原因;rubrene的引入使得能量能够更有效地从Alq3转移到DCJTB,从而显著地提高了器件的发光效率和性能。  相似文献   
10.
含氰基的酚醛树脂,具有优异的耐高温性能和高温下的机械强度,在315℃下性能变化甚小;不着火,发烟量低,有良好的加工成型性能。热固化过程中氰基成三嗪环而交联,没有小分子脱出,是一类具有广泛发展前景的新型热固性树脂。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号